Der Transistor 13001 (MJE13001) ist eine Siliziumtriode, die in planarer Epitaxietechnik hergestellt wird. Es hat eine N-P-N-Struktur. Sie bezieht sich auf Geräte mittlerer Leistung. Sie werden größtenteils in Fabriken in Südostasien hergestellt und in elektronischen Geräten verwendet, die in der gleichen Region hergestellt werden.
Inhalt
Wichtigste technische Merkmale
Die wichtigsten Merkmale des Transistors 13001 sind
- Hohe Betriebsspannung (Basis-Kollektor - 700 Volt, Kollektor-Emitter - 400 Volt, nach einigen Quellen - bis zu 480 Volt);
- Kurze Schaltzeiten (Stromanstiegszeit tr=0,7 Mikrosekunden, Abfallzeit tf=0,6 μs, beide gemessen bei 0,1 mA Kollektorstrom);
- Hohe Betriebstemperatur (bis zu +150 °C);
- Hohe Verlustleistung (bis zu 1 W);
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung.
Der letztgenannte Parameter wird in zwei Modi angegeben:
| Kollektorstrom, mA | Basisstrom, mA | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, V |
|---|---|---|
| 50 | 10 | 0,5 |
| 120 | 40 | 1 |
Als weiteren Vorteil nennen die Hersteller den geringen Gehalt an Transistor Emissionen (RoHS-Konformität).
Wichtig! In den Datenblättern der Transistoren der Serie 13001 sind die Eigenschaften des Halbleiterbauelements von Hersteller zu Hersteller unterschiedlich, daher können einige Abweichungen (in der Regel bis zu 20%) auftreten.
Andere Parameter, die für den Betrieb von Bedeutung sind
- Der maximale Dauergrundstrom beträgt 100 mA;
- maximaler Impulsgrundstrom - 200 mA;
- 180 mA Kollektorstromgrenze;
- maximaler Kollektorimpulsstrom - 360 mA;
- maximale Basis-Emitter-Spannung - 9 Volt;
- Einschaltverzögerungszeit (Speicherzeit) - 0,9 bis 1,8 μs (bei 0,1 mA Kollektorstrom);
- Basis-Emitter-Sättigungsspannung (bei 100 mA Basisstrom, 200 mA Kollektorstrom) - nicht mehr als 1,2 Volt;
- Die höchste Betriebsfrequenz beträgt 5 MHz.
Der statische Stromübertragungskoeffizient für die verschiedenen Modi wird in dem Bereich angegeben:
| Kollektor-Emitter-Spannung, V | Kollektorstrom, mA | Gewinnen Sie | |
|---|---|---|---|
| Kleinste | Höchste | ||
| 5 | 1 | 7 | |
| 5 | 250 | 5 | |
| 20 | 20 | 10 | 40 |
Alle Angaben beziehen sich auf eine Umgebungstemperatur von +25 °C. Der Transistor kann bei Umgebungstemperaturen von minus 60 °C bis +150 °C gelagert werden.
Verpackung und Kodierung
Der Transistor 13001 ist in flexiblen Lead-in-Plastikgehäusen für die True-Hole-Montage-Technologie erhältlich:
- TO-92;
- TO-126.
SMD-Gehäuse sind ebenfalls erhältlich:
- SOT-89;
- SOT-23.
Transistoren in SMD-Gehäusen sind mit den Buchstaben H01A, H01C gekennzeichnet.
Wichtig! Transistoren verschiedener Hersteller können mit dem Präfix MJE31001, TS31001 oder ohne Präfix versehen sein. Aufgrund von Platzmangel auf dem Gehäuse wird das Präfix oft nicht angegeben, und solche Geräte können unterschiedliche Pinbelegungen haben. Wenn es sich um einen Transistor unbekannter Herkunft handelt, ist es besser, die Stiftpositionen mit einem Multimeter oder ein Transistortestgerät.
Inländische und ausländische Äquivalente
Direkt analog Transistor 13001 keine direkte Entsprechung in der russischen Siliziumtrioden-Nomenklatur, aber für mittlere Betriebsbedingungen können Silizium-Halbleiterbauelemente mit N-P-N-Struktur aus der Tabelle verwendet werden.
| Transistor-Typ | Höchste Verlustleistung, Watt | Kollektor-Basis-Spannung, Volt | Basis - Emitterspannung, Volt | Flankenfrequenz, MHz | Höchster Kollektorstrom, mA | h FE |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KT538A | 0,8 | 600 | 400 | 4 | 500 | 5 |
| KT506A | 0,7 | 800 | 800 | 17 | 2000 | 30 |
| KT506B | 0,8 | 600 | 600 | 17 | 2000 | 30 |
| КТ8270A | 0,7 | 600 | 400 | 4 | 500 | 10 |
Bei annähernd maximaler Leistung muss bei der Auswahl der Analogwerte darauf geachtet werden, dass die Parameter den Betrieb des Transistors in einer bestimmten Schaltung ermöglichen. Sie sollten auch die Pinbelegung der Geräte überprüfen - sie stimmt möglicherweise nicht mit der Pinbelegung von 13001 überein, was zu Problemen bei der Leiterplattenmontage führen kann (insbesondere bei SMD-Versionen).
Alternativ können Sie auch die gleichen Hochspannungs-Silizium-N-P-N-Transistoren mit höherer Leistung verwenden:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Sie unterscheiden sich von 13001 vor allem durch den höheren Kollektorstrom und die höhere Leistung, die vom Halbleiterbauelement abgeleitet werden kann, aber auch durch das Gehäuse und die Anschlussbelegung kann ein Unterschied bestehen.
In jedem Fall müssen Sie die Pinbelegung überprüfen. In vielen Fällen können die Transistoren LB120, SI622 usw. geeignet sein, aber die spezifischen Eigenschaften sollten sorgfältig verglichen werden.
Der LB120 hat zum Beispiel die gleiche Kollektor-Emitter-Spannung von 400 Volt, aber zwischen Basis und Emitter können nicht mehr als 6 Volt angelegt werden. Außerdem hat er eine etwas geringere maximale Verlustleistung von 0,8 W im Vergleich zu 1 W beim 13001. Dies muss bei der Entscheidung, ob ein Halbleiterbauelement durch ein anderes ersetzt werden soll, berücksichtigt werden. Das Gleiche gilt für die leistungsstärkeren Siliziumtransistoren der N-P-N-Struktur für den Hausgebrauch und die hohe Spannung:
| Typ des Haushaltstransistors | Höchste Kollektor-Emitter-Spannung, V | Maximaler Kollektorstrom, mA | h21э | Fall |
|---|---|---|---|---|
| KT8121A | 400 | 4000 | <60 | KT28 |
| KT8126A | 400 | 8000 | >8 | KT28 |
| KT8137A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8170A | 400 | 1500 | 8..40 | KT27 |
| KT8259A | 400 | 4000 | bis zu 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8259A | 400 | 8000 | bis zu 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8260A | 400 | 12000 | bis zu 60 | TO-220, TO-263 |
| KT8270 | 400 | 5000 | <90 | KT27 |
Diese Geräte ersetzen die Serie 13001 in der Funktion und haben eine höhere Leistung (und manchmal auch höhere Betriebsspannungen), aber die Anschlussbelegung und die Gehäuseabmessungen können unterschiedlich sein.
Anwendungen für 13001-Transistoren
Die Transistoren der Serie 13001 wurden speziell für Anwendungen mit geringer Leistungsumwandlung als Schlüsselelemente (Schaltelemente) entwickelt.
- Netzadapter für mobile Geräte;
- Elektronische Vorschaltgeräte für Leuchtstofflampen mit geringer Leistung;
- elektronische Transformatoren;
- Andere Schaltgeräte.
Für die Verwendung von 13001-Transistoren als Transistorschalter gibt es im Prinzip keine Einschränkungen. Diese Halbleiter können auch in Niederfrequenzverstärkern verwendet werden, wenn keine besondere Verstärkung erforderlich ist (der Stromübertragungskoeffizient der Serie 13001 ist nach modernen Maßstäben gering), aber in diesen Fällen werden die relativ hohen Betriebsspannungsparameter dieser Transistoren und ihre hohe Ansprechgeschwindigkeit nicht erreicht.
In diesen Fällen ist es besser, häufigere und billigere Transistortypen zu verwenden. Beim Bau von Verstärkern sollte auch bedacht werden, dass der Transistor 31001 kein komplementäres Paar besitzt, so dass es bei der Push-Pull-Kaskadenschaltung zu Problemen kommen kann.
Die Abbildung zeigt ein typisches Beispiel für die Verwendung der 13001 in einem Batterieladegerät für eine tragbare Batterie. Als Schlüsselelement ist eine Siliziumtriode enthalten, die auf der Primärseite des TR1-Transformators Impulse bildet. Er hält der vollen gleichgerichteten Netzspannung in hohem Maße stand und erfordert keine zusätzlichen schaltungstechnischen Maßnahmen.
Beim Löten von Transistoren ist eine gewisse Vorsicht geboten, um unnötige Erwärmung zu vermeiden. Das ideale Temperaturprofil ist in der Abbildung dargestellt und besteht aus drei Stufen:
- Die Vorheizphase dauert etwa 2 Minuten, in denen der Transistor von 25 auf 125 Grad erhitzt wird;
- das eigentliche Löten dauert etwa 5 Sekunden bei einer Höchsttemperatur von 255 Grad;
- Der letzte Schritt ist das Entlöten mit einer Geschwindigkeit von 2 bis 10 Grad pro Sekunde.
Dieser Zeitplan ist zu Hause oder in einer Werkstatt nur schwer einzuhalten, und er ist auch nicht so wichtig, wenn man einen einzelnen Transistor zerlegt und zusammenbaut. Die Hauptsache ist, dass die maximal zulässige Löttemperatur nicht überschritten wird.
13001-Transistoren haben den Ruf, recht zuverlässig zu sein, und können unter Betriebsbedingungen, die die angegebenen Grenzwerte nicht überschreiten, lange Zeit ohne Ausfälle auskommen.
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