晶體管 13001 名稱、規格和類似物

晶體管 13001 (MJE13001) 是一種採用平面外延技術製造的矽三極管。它具有 N-P-N 結構。它指的是中等功率的設備。大部分由位於東南亞的工廠生產，並用於同一地區製造的電子設備。

晶體管13001的外觀。

內容

主要技術特點

三極管13001的主要特點是：

最後一個參數在兩種模式下聲明：

集電極電流，毫安	基極電流，毫安	集電極-發射極飽和電壓，V
50	10	0,5
120	40	1

另外一個優勢是，製造商聲稱晶體管有害物質（RoHS 合規性）。

重要的！ 在不同製造商的 13001 系列晶體管的數據表中，半導體器件的特性不同，因此可能存在一些差異（通常在 20% 以內）。

其他對操作重要的參數：

不同模式的靜態電流傳遞係數在以下範圍內說明：

所有規格均在 +25 °C 的環境溫度下聲明。該晶體管可在負 60 至 +150 °C 的環境溫度下儲存。

13001 晶體管採用柔性引入塑料封裝，用於真正的孔安裝技術：

SMD 封裝也可提供：

SMD封裝的晶體管標有字母H01A、H01C。

重要的！ 不同製造商的晶體管可能帶有前綴 MJE31001、TS31001 或沒有前綴。由於封裝空間不足，通常未指定前綴，並且此類設備可能具有不同的引腳排列。如果有不明來源的晶體管，最好用一個明確的引腳位置萬用表或用於檢查晶體管的設備。

晶體管 13001 外殼。

直接模擬 晶體管 13001 俄羅斯矽三極管命名法中沒有直接的類比，但對於中等操作模式，您可以使用表中 N-P-N 結構的矽半導體器件。

晶體管類型	最高功耗，W	集電極-基極電壓，伏特	基極 - 發射極電壓，伏特	邊緣頻率，MHz	最高集電極電流，mA	H_FE
KT538A	0,8	600	400	4	500	5
KT506A	0,7	800	800	17	2000	30
KT506B	0,8	600	600	17	2000	30
КТ8270A	0,7	600	400	4	500	10

對於接近最大值的模式，有必要仔細選擇模擬，以便參數允許在特定電路中操作晶體管。還需要澄清設備的引腳排列 - 它可能與 13001 的引腳排列不一致，這可能會導致板上安裝出現問題（尤其是 SMD 版本）。

至於國外的類比，同樣的高壓但功率更大的矽N-P-N晶體管適合替代：

它們與 13001 的區別主要在於集電極電流增加和半導體器件可以消耗的功率增加，但外殼和引腳佈局也可能有所不同。

在每種情況下，都需要檢查引腳排列。在許多情況下，LB120 晶體管、SI622 等都可以解決問題，但您必須仔細比較具體特性。

例如，LB120 的集電極-發射極電壓相同，為 400 伏，但基極和發射極之間的電壓不能超過 6 伏。與 13001 的 1 W 相比，它還具有 0.8 W 的稍低的最大功耗。在決定用另一個半導體器件替換一個半導體器件時必須考慮到這一點。同樣適用於N-P-N結構的更高功率、更高電壓的國產矽晶體管：

國產晶體管型	最高集電極-發射極電壓，V	最大集電極電流，mA	H_21э	案子
KT8121A	400	4000	<60	KT28
KT8126A	400	8000	>8	KT28
KT8137A	400	1500	8..40	KT27
KT8170A	400	1500	8..40	KT27
KT8170A	400	1500	8..40	KT27
KT8259A	400	4000	最多 60	TO-220, TO-263
KT8259A	400	8000	最多 60	TO-220, TO-263
KT8260A	400	12000	最多 60	TO-220, TO-263
KT8270	400	5000	<90	KT27